1N60P-TB เป็น พาวเวอร์ไดโอด (Power Diode) ชนิด P-N junction diode ที่มีประสิทธิภาพสูงและถูกออกแบบมาเพื่อใช้งานในวงจรที่ต้องการความทนทานและประสิทธิภาพในการทำงานที่ยอดเยี่ยม พัดลม ตัวไดโอด 1N60P-TB รองรับแรงดันสูงสุด 50V และกระแสไฟ 300mA ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานในวงจรที่ต้องการการควบคุมกระแสไฟฟ้าและการป้องกันแรงดันไฟฟ้าสูงเกินไป
คุณสมบัติหลัก:
- รุ่น: 1N60P-TB
- ประเภท: P-N junction diode
- แรงดันไฟฟ้าสูงสุด (Reverse Voltage): 50V
- กระแสไฟสูงสุด (Forward Current): 300mA
- พลังงานที่สูญเสีย: ต่ำ
- การจัดการความร้อน: สามารถทนทานต่ออุณหภูมิสูงได้ดี
- การใช้งาน: เหมาะสำหรับการใช้งานในวงจรไฟฟ้า, การป้องกันแรงดันเกิน, การปรับแรงดันในวงจร
การใช้งาน:
DIODE 1N60P-TB เหมาะสำหรับการใช้งานในหลายแอปพลิเคชัน เช่น:
- วงจรป้องกันแรงดันไฟฟ้าสูง: ใช้เพื่อป้องกันวงจรจากกระแสไฟฟ้าเกินหรือแรงดันเกิน
- แหล่งจ่ายไฟ: ใช้ในแหล่งจ่ายไฟที่ต้องการป้องกันแรงดันเกิน
- อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์: ใช้ในวงจรปรับแรงดันและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการการป้องกันแรงดันสูง
- แอปพลิเคชันไฟฟ้า: ใช้ในระบบไฟฟ้าที่มีความเสี่ยงจากกระแสไฟฟ้าเกิน
- การป้องกันที่มีประสิทธิภาพ: สามารถป้องกันวงจรไฟฟ้าจากแรงดันไฟฟ้าเกินและกระแสไฟฟ้าที่สูงเกินไป
- คุณภาพและทนทาน: ผลิตโดย Toshiba Semiconductor ซึ่งเป็นผู้ผลิตที่มีชื่อเสียงในการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีคุณภาพสูงและเชื่อถือได้
- การใช้งานที่หลากหลาย: เหมาะสำหรับการใช้งานในวงจรไฟฟ้า, อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์, และแหล่งจ่ายไฟ
- ประสิทธิภาพสูง: การจัดการพลังงานและความร้อนที่ดีทำให้สามารถใช้งานได้ในสภาพแวดล้อมที่หลากหลาย
- ขนาดกะทัดรัด: มีขนาดกะทัดรัดและง่ายต่อการติดตั้งในวงจรต่างๆ
- 1N60P-TB diode
- 1N60P-TB P-N junction diode
- DIODE 1N60P-TB ราคาถูก
- Diode 1N60P-TB สำหรับวงจรป้องกันแรงดันเกิน
- 1N60P-TB Toshiba diode
- Diode 1N60P-TB สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
- DIODE 1N60P-TB 50V 300mA
รีวิว
ยังไม่มีบทวิจารณ์