DIODE ไดโอด RFN10BM6STL ROHM Super Fast Recovery Diode 600V/10A

RFN10BM6STL เป็น N-channel MOSFET จาก Rohm Semiconductor ที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานในระบบที่ต้องการประสิทธิภาพสูงและทนทาน ตัว MOSFET นี้มีความสามารถในการรองรับแรงดันไฟฟ้าและกระแสสูง พร้อมด้วยค่า Rds(on) ที่ต่ำ เพื่อให้การสวิตช์กระแสไฟฟ้ามีความเสถียรและประหยัดพลังงาน เหมาะสำหรับการใช้ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการการควบคุมพลังงาน เช่น ระบบ DC-DC, เครื่องมืออุตสาหกรรม, หรือแหล่งจ่ายไฟที่ต้องการการควบคุมกระแสที่มีประสิทธิภาพ

คุณสมบัติหลัก:

• ประเภท: N-channel MOSFET
• แรงดันสูงสุด (Vds): 60V
• กระแสสูงสุด (Id): 10A
• Rds(on): ต่ำ ช่วยลดการสูญเสียพลังงานและเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงาน
• ความสามารถในการสวิตช์: สวิตช์ได้อย่างรวดเร็วและมีประสิทธิภาพสูง
• วัสดุ: ผลิตจากวัสดุคุณภาพสูง ทำให้ทนทานต่อการทำงานในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูง
• การใช้งาน: ใช้ในวงจรที่ต้องการการควบคุมกระแสไฟฟ้าและแหล่งจ่ายพลังงานที่มีความเสถียร

การใช้งาน:
RFN10BM6STL เหมาะสำหรับการใช้งานในหลายแอปพลิเคชัน เช่น:

• แหล่งจ่ายไฟ: ใช้ในวงจร DC-DC ที่ต้องการการแปลงพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูง
• ระบบควบคุมมอเตอร์: ใช้ในระบบควบคุมมอเตอร์ไฟฟ้าและเครื่องจักรที่ต้องการการควบคุมกระแสไฟฟ้า
• อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์: ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการการควบคุมสวิตช์และการจ่ายพลังงาน
• วงจรอุตสาหกรรม: ใช้ในวงจรควบคุมต่างๆ เช่น เครื่องมือและอุปกรณ์ในอุตสาหกรรมที่ต้องการ MOSFET สำหรับควบคุมพลังงาน

1. ทนทานและเสถียร: RFN10BM6STL มีความทนทานสูงและสามารถใช้งานได้ในสภาวะที่มีอุณหภูมิสูง
2. ประสิทธิภาพการสวิตช์สูง: การสวิตช์ที่รวดเร็วและค่า Rds(on) ต่ำ ช่วยลดการสูญเสียพลังงานในระบบ
3. รองรับกระแสสูง: รองรับกระแสได้สูงถึง 10A เหมาะสำหรับการใช้งานในระบบที่ต้องการกระแสสูง
4. ลดความร้อน: เนื่องจากการสูญเสียพลังงานต่ำทำให้การทำงานในสภาพแวดล้อมที่มีความร้อนสูงมีประสิทธิภาพมากขึ้น

• RFN10BM6STL MOSFET
• N-channel MOSFET RFN10BM6STL
• MOSFET RFN10BM6STL ราคาถูก
• RFN10BM6STL ใช้ในวงจร DC-DC
• RFN10BM6STL Rohm
• MOSFET สำหรับควบคุมพลังงาน RFN10BM6STL